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CMSC055N06是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)生產(chǎn)，具有非常卓越的RDS（ON）。

CMB180P04G是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），非常適用于先進(jìn)的高效開關(guān)應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、LED控制、電機(jī)控制等。

CMP073N15集合了低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低開關(guān)損耗 等多項(xiàng)特點(diǎn)，成為各種高效能電源系統(tǒng)和高功率應(yīng)用的理想選擇。

CMD8447B采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗，它可以高效用于多種應(yīng)用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED控制器等。

CMD130N85A是Cmos通過不斷優(yōu)化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優(yōu)化溝槽工藝制造而成，典型的特點(diǎn)是，具有更優(yōu)秀的開關(guān)響應(yīng)時(shí)效性，極低的RDSON,低FOM和更優(yōu)秀的單元一致性。